射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜

杨保和; 徐娜; 陈希明; 薛玉明; 李化鹏

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射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜

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采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。

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来源
《光电子．激光》 |2007年第12期|1430-1434|共5页
作者
杨保和; 徐娜; 陈希明; 薛玉明; 李化鹏;
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作者单位

天津理工大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
AlN薄膜; 射频(R.F.); 择优取向; 氮终止的硅衬底;

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