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C轴择优取向AlN薄膜的制备研究

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摘要

采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.

著录项

来源
《第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议》|2005年|415-417|共3页
会议地点成都
作者
李位勇; 张凯; 徐丹丹; 陈丽丽; 顾豪爽;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
AlN薄膜; 直流磁控反应溅射法; C轴择优取向; 衬底温度; 表面形貌;

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