用于二次电子发射阴极的纳米金刚石膜

王兵; 甘孔银; 梅军; 李凯; 丰杰; 王玉乾

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用于二次电子发射阴极的纳米金刚石膜

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为获得导电性和二次电子发射性能均好的金刚石阴极材料,分别以CH4/Ar/H2、CH4/N2及CH4/N2/H2混合气体作为反应气源,用微波等离子化学气相沉积(MWPCVD)法制备出不同组成结构特点的纳米金刚石薄膜.XRD和Raman检测表明3种气源条件下得到的膜材均为金刚石多晶膜,但用CH4/N2反应源沉积的膜材中非金刚石相成分明显更多;AFM分析证实所有膜层的平均晶粒尺寸均在100nm以下,属纳米晶金刚石膜.用自行设计的二次电子发射系数测量装置对比检测所得膜层的二次电子发射特性,结果表明各金刚石膜均在初级入射电子能量达约1keV时,有最高的二次发射系数(δmax);并且以CH4/Ar/H2反应源制备的金刚石相纯度最高的膜材的δmax最大,达到17左右,是适用于二次电子发射阴极的潜在材料.

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来源
《功能材料》 |2008年第1期|158-161|共4页
作者
王兵; 甘孔银; 梅军; 李凯; 丰杰; 王玉乾;
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作者单位

西南科技大学,材料学院,四川,绵阳,621010;

中国工程物理研究院,应用电子学研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院结构力学研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,应用电子学研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院结构力学研究所,四川,绵阳,621900;

西南科技大学,材料学院,四川,绵阳,621010;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
金刚石; 纳米膜; 二次电子; 阴极; 发射系数;

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