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郭冬云; 王耘波; 于军; 付承菊; 高俊雄; 李建军; 陈万军;
华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;
武汉理工大学,材料科学与工程学院,湖北,武汉,430070;
铁电薄膜; Bi3.25La0.75Ti3O12; Bi4Ti3O12:sol-gel法;
机译:生长在Si和Pt / Ti / SiO2 / Si衬底上生长的Bi过量Bi4Ti3O12薄膜的微观结构和铁电性能
机译:Zr取代对Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜结构和铁电性能的影响
机译:取向对Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜结构和铁电性能的影响
机译:溅射条件对RF溅射BI3.25LA0.75TI3O12薄膜微观结构和铁电性能的影响
机译:LN型ZnSnO3纳米结构的合成,表征和铁电性能。
机译:Ag纳米颗粒浓度对Ag / P(VDF-TrFE)复合薄膜电和铁电性能的影响
机译:通过二维RF磁控溅射制备的Bi4Ti3O12 / TiO2薄膜的结构和铁电性能
机译:单层和多层液晶的结构和物理性质表现出块状铁电性能
机译:具有改善的铁电性能的PVDF-TrFE共聚物,制备具有改善的铁电性能的PVDF-TrFE共聚物的方法以及改变PVDF-TrFE共聚物端基的方法
机译:具有改善的铁电性能的PVDF-TRFE共聚物,制造具有改善的铁电性能的PVDF-TRFE共聚物的方法以及改变PVDF-TRFE共聚物端基的方法
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