ZnSe单晶的气相生长及光学性质

李焕勇; 介万奇

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用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～1020℃,管内温差＜4℃.经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体.XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质.

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来源
《功能材料》 |2003年第5期|567-569,572|共4页
作者
李焕勇; 介万奇;
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作者单位

西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;

西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;晶体的物理性质;
关键词
化学气相输运; 光学性质; 输运剂; ZnSe单晶;

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