Mn,Si等添加剂对GBBL电容器用材料SrTiO3性能的影响

贾惠良; 王评初

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Mn,Si等添加剂对GBBL电容器用材料SrTiO3性能的影响

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研究了ＭｎＯ，ＳｉＯ２等添加剂对低温一次烧结ＳｒＴｉＯ３ＧＢＢＬ电容器材料介电性能的影响。结果表明，随着ＭｎＯ含量的增加样品的有效介电常数增加，同时介电损耗也大幅增加。ＳｉＯ２的添加量大于０．２％（质量分数）时不利于半导化，并降低介电常数。加入适量的ＭｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２能使材料的有效介电常数有较大提高，损耗则增加不大。

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来源
《功能材料》 |1999年第2期|184-185|共2页
作者
贾惠良; 王评初;
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作者单位

华东理工大学化学系;

中国科学院上海硅酸盐研究所;

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正文语种 CHI
中图分类 TQ174.756;
关键词
电容器; 性能; 添加剂; 锰; 硅; 钛酸锶;

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