RF溅射沉积Ce：YIG磁光薄膜的热处理结晶化研究

黄强; 冯则坤

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RF溅射沉积Ce：YIG磁光薄膜的热处理结晶化研究

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基片温度低于溅射外延条件，采用低溅射功率密度磁控溅射沉积，进行后期热处理结晶晶化，制备出膜厚为３００ｎｍ的掺铈钇铁石榴石Ｃｅ：ＹＩＧ磁光薄膜。对热处理前的的磁光特性进行比较，并分析了热处理结晶化过程中附属相的变化。薄膜在空气中热处理结晶化过程中附属相的变化。薄膜在空气中热处理结晶化温度在６５０℃附近。热处理后，室温上６３３ｎｍ处其法拉第旋转系数约为１．９×１０＾４ｄｅｇ／ｃｍ，光吸收系数为２５００

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来源
《功能材料》 |1998年第1期|24-26|共3页
作者
黄强; 冯则坤;
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作者单位

华中理工大学固体电子学系;

华中理工大学固体电子学系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
热处理结晶化; Ce：YIG; 薄膜; RF溅射; 磁光薄膜;

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