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液相外延生长磁性石榴石薄膜中铋的分凝系数与生长率的关系

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摘要

在Ｂｉ２Ｏ３－ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３复合助熔剂中，采用等温浸渍液相外延技术在ＧＧＧ基片的（１１１）面上生长了（Ｂｉ，Ａｌ）：ＹＩＧ薄膜。通过调整过冷度和基片转速来改变薄膜的生长速率。测量了外延膜中铋的含量。给出了铋的分凝系数的表达式，并计算了铋的分凝系。

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来源
《功能材料》 |1997年第5期|468-470|共3页
作者
韦江维; 何华辉;
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作者单位

华中理工大学固体电子学系;

华中理工大学固体电子学系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
液相外延; 磁性石榴石; 薄膜; 分凝系数生长率;

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