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碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定方法及装置

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本发明公开了一种碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数的测定方法及装置。本发明通过先假定分凝系数得到单位体积Au‑HgCdTe母液中Au的含量，并进行Au‑HgCdTe母液中Au、Hg、Cd、Te含量的计算，随后进行母液合成和液相外延，最后通过去除衬底获得纯的Au‑HgCdTe薄膜，再用ICP‑OES测试Au‑HgCdTe薄膜中Au的实际掺杂浓度，最后根据分凝系数的公式，结合单位体积Au‑HgCdTe母液中Au的含量，计算出碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数，解决了现有技术不能用于碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定的问题，能够获得高度准确的测试结果。

著录项

公开/公告号CN105628548B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-16

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第十一研究所;
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申请/专利号CN201511021591.1
发明设计人胡尚正;刘铭;折伟林;吴卿;孙浩;周立庆;
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申请日2015-12-31
分类号
代理机构工业和信息化部电子专利中心;
代理人梁军
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
入库时间 2022-08-23 10:08:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-16

授权

授权
2016-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N5/04 申请日:20151231

实质审查的生效
2016-06-01

公开

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