首页> 中文期刊> 《甘肃科学学报》 >PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析

PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析

         

摘要

根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流~电压特性。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号