一种具有极化调制层的AlGaN/GaN HEMT结构

著录项

• 来源
  《桂林电子科技大学学报》 |2021年第4期|259-265|共7页
• 作者

  代一丹; 陈永和; 田雨; 马旺; 刘子玉;

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• 作者单位

  桂林电子科技大学广西精密导航技术与运用重点实验室 广西桂林 541004;

  桂林电子科技大学广西精密导航技术与运用重点实验室 广西桂林 541004;

  桂林电子科技大学广西精密导航技术与运用重点实验室 广西桂林 541004;

  桂林电子科技大学广西精密导航技术与运用重点实验室 广西桂林 541004;

  桂林电子科技大学广西精密导航技术与运用重点实验室 广西桂林 541004;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
• 关键词

  AlGaN/GaNHEMT; 极化掺杂; 击穿电压; 比导通电阻; FOM;