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层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究

         

摘要

利用电子显微镜比较研究了S出i2Ta2O9(SBT),Bi3TiTaO9(BTT),Bi4Ti3O12(BTO),Bi 3.25La0.75Ti4O12(BLT),SrBi4Ti4O1 5-Bi4Ti3O1 2(SBTi-BT)和SrBi4Ti4O1 5-Bi3 25La0 75Ti 3O1 2(SBTi-BLT)各自的畴结构和形态,并讨论了可能的相关机制.研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响,90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好.

著录项

  • 来源
    《哈尔滨理工大学学报》 |2002年第6期|27-28,31|共3页
  • 作者单位

    南京大学,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;

    南京大学,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;

    南京大学,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;

    中科院物理所,北京电子显微镜实验室,北京,100080;

    南京大学,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;

    清华大学,微电子研究所,北京,100080;

    南京大学,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;

    南京大学,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TM221;
  • 关键词

    铁电存储器; 畴界; 疲劳;

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