具有粗糙表面的氮化硅薄膜光热偏折谱分析

丁文革; 张江勇; 马立彬; 于威; 傅广生

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给出了一种分析表面粗糙度对氮化硅(SiNx)薄膜光热偏折谱(PDS)影响的简单方法.得出了光散射影响下,由PDS实验测得的薄膜的吸收系数与表面粗糙度的函数关系式.在此基础上,对PDS测得的具有纳米量级表面粗糙度的SiNx薄膜的吸收系数进行了修正,并进一步给出了不同薄膜厚度和表面粗糙度情况下,PDS测量结果的偏差.结果表明,在较低能量区域,PDS实验测得的薄膜吸收系数偏差较大,这种偏差不仅取决于薄膜的表面粗糙度,而且与薄膜的厚度相关,较大的表面粗糙度和较小的薄膜厚度将使其偏差显著增加;而在高能区域,这种偏差很小,可以忽略.

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来源
《河北大学学报：自然科学版》 |2006年第4期|362-365|共5页
作者
丁文革; 张江勇; 马立彬; 于威; 傅广生;
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作者单位

河北大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜测量与分析;
关键词
光散射; 光热偏转光谱; 光吸收系数;

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