氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能

宋捷; 王久敏; 余林蔚; 黄信凡; 李伟; 陈坤基

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为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的SiN_x薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH_3和SiH_4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH_3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiN_x薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH_3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH_3氮化再淀积SiN_x的样品比直接淀积SiN_x的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1～2×10^(11)eV^(-1) cm^(-2)。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2007年第4期|468-471|共5页
作者
宋捷; 王久敏; 余林蔚; 黄信凡; 李伟; 陈坤基;
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作者单位

南京大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
等离子增强化学淀积; NH3等离子体氮化; X射线光电子谱; 电容-电压; 界面态密度;

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