SnO_(2)和TiO_(2)薄膜在钙钛矿材料上的原子层沉积工艺

罗浩; 张慧玉; 刘红燕; 刘海旭; 路万兵

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SnO_(2)和TiO_(2)薄膜在钙钛矿材料上的原子层沉积工艺

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金属电极与卤素之间的扩散反应是造成钙钛矿太阳电池(PSC)衰退的重要因素,而利用原子层沉积(ALD)技术在金属电极和钙钛矿活性层之间沉积致密且电学性能良好的缓冲层,是解决上述问题的优选方案之一.本文主要研究了利用ALD技术在金属有机卤化物钙钛矿材料上沉积SnO_(2)和TiO_(2)薄膜的工艺兼容性问题.通过X线衍射和紫外-可见吸收光谱等技术,表征了分别作为钛源和锡源的四(二甲氨基)钛(TDMATi)和四(二甲氨基)锡(TDMASn)脉冲以及不同温度下水脉冲对钙钛矿薄膜结构的影响,分析了不同前驱体源的脉冲及吹扫时间对薄膜沉积模式的影响,获得了与钙钛矿材料相兼容的SnO_(2)和TiO_(2)薄膜的优化ALD工艺.将优化后的SnO_(2)和TiO_(2)薄膜ALD工艺应用于倒置PSC制备,对电池的J-V曲线和大气环境下的稳定性测试结果表明,基于ALD技术沉积的SnO_(2)和TiO_(2)缓冲层的引入,使得PSC的稳定性明显改善,而且其功率转换效率也有所提高.

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来源
《河北大学学报：自然科学版》 |2022年第4期|370-375|共6页
作者
罗浩; 张慧玉; 刘红燕; 刘海旭; 路万兵;
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作者单位

河北大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类凝聚态物理学;
关键词
钙钛矿; 原子层沉积; 工艺兼容性; 稳定性;

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