PMDA/PDA线型聚酰亚胺的制备及可见光催化活性

张琪; 朱学旺; 罗青枝; 殷蓉; 王德松

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PMDA/PDA线型聚酰亚胺的制备及可见光催化活性

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cqvip:电位相对较低的价带(VB)是限制体型聚酰亚胺(PI)光催化氧化能力的因素,PMDA/PDA线型聚酰亚胺具有相对较高的价带电位(+2.45 eV),表现出较强的氧化性,不需要构建异质结就能表现出较强的氧化降解能力。为了制备一种具有较高可见光催化活性的聚酰亚胺,以均苯四甲酸二酐(PMDA)和对苯二胺(PDA)为原料,乙醇为共溶剂,采用二步法制备具有共轭结构的线型聚酰亚胺(PI),采用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、紫外可见漫反射仪(UV-vis DRS)、荧光光谱仪(PL)、X射线光电子能谱仪(XPS)等考察PI的化学组成、微观结构和光电化学性质,测定PI的禁带宽度、HOMO电位和最低未占据分子轨道(LUMO)电位。结果表明,线型PI的主要光催化活性中心是光生空穴,利用空穴的强氧化性降解罗丹明B(RhB)溶液,具有较高的光催化降解效果,降解效率是常用光催化剂g-C3N4的3倍。因此,PMDA/PDA线型聚酰亚胺具有较高的可见光催化活性及光催化稳定性。

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来源
《河北科技大学学报》 |2019年第6期|488-495|共8页
作者
张琪; 朱学旺; 罗青枝; 殷蓉; 王德松;
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作者单位

河北科技大学材料科学与工程学院河北石家庄 050018;

河北科技大学理学院河北石家庄050018;

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正文语种 chi
中图分类催化;
关键词
半导体材料; 聚酰亚胺; 均苯四甲酸二酐; 对苯二胺; 罗丹明B; 光催化降解;

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