BaTiO_3半导瓷阻温特性的数值模拟

方焯; 周东祥

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BaTiO_3半导瓷阻温特性的数值模拟

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在海望表面势垒模型的基础上,考虑到施主、受主、电子和空穴的迁移对晶界效应的影响,从理论上建立了一个关于电子能级的微分方程,按照四阶标准龙格-库塔公式求解该方程,从数值上得到了晶界势垒的能级图.进一步计算得到BaTiO3半导瓷在任意晶粒尺寸、任意施主、受主浓度掺杂下的定量的阻温关系.结果发现电阻率随施主浓度的增大形成U形曲线.掺入一定含量的受主将抵消一部分施主,使得取得最小室温电阻的施主浓度增大,同时室温电阻升高.材料的升阻比在指定的受主浓度掺杂和指定的晶粒尺寸下取得极大值.计算的结果与实验数据相符.

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来源
《华中科技大学学报：自然科学版》 |2009年第12期|79-82|共4页
作者
方焯; 周东祥;
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作者单位

华中科技大学电子科学与技术系;

湖北武汉430074;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类正温度系数热敏电阻;
关键词
肖特基势垒; 正温度系数; 铁电陶瓷; 晶界; 钛酸钡; 阻温特性度; 电性能;

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