铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响

曾祥斌; 孙树梅; 袁德成; 蒋陆金

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铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响

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采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间.通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性,表明在扩散时间一定的条件下,随着铂扩散温度的升高,反向恢复时间TRR呈线性下降趋势;并且相同扩散温度条件下,电阻率越小的样品TRR值越小.随着铂扩散时间的增加,TRR值逐渐减小.分析了TRR以及正向压降VF的温度特性,表明随着工作温度的升高,TRR呈上升趋势,而VF随温度的升高而下降.

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来源
《华中科技大学学报：自然科学版》 |2007年第9期|73-76|共4页
作者
曾祥斌; 孙树梅; 袁德成; 蒋陆金;
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作者单位

华中科技大学电子科学与技术系;

上海美高森美半导体有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体二极管;
关键词
铂扩散; 反向恢复时间; 正向压降; 漏电流;

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