碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究

王建安; 张端明; 李国元; 何元金

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碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究

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碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,或称MCT),是60年代问世的一种性能优良的红外探测材料,它的电性能在很大程度上取决于电子结构中的缺陷:自然缺陷(空穴、填隙原子、空位和络化物等);扩散缺陷(位错、晶粒边界、沉积、熔点物和非掺入的杂质等).键稳模型断言,在MCT中,a.缺陷的形成和动态特性是热激活的;b.Hg-Te键很弱,汞空位是主要的自然缺陷;c.大多数扩散缺陷是电激活的.但是,迄今不能清楚地说明缺陷形成的动态过程及其与材料电性能的关系.正电子湮没技术(PAT)对于研究原子尺度的缺陷极其敏感.本文以PAT为手段,研究MCT退火过程中,缺陷浓度与电阻率的关系,以及充分退火后MCT的电阻率与温度的关系.

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来源
《华中科技大学学报：自然科学版》 |1991年第1期|137-139|共3页
作者
王建安; 张端明; 李国元; 何元金;
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作者单位

华中理工大学物理系;

清华大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
碲镉汞; 电子结构; 缺陷; 正电子湮灭;

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