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段伟杰; 王冬迎; 杨毅;
湖南工程学院计算科学与电子学院;
湘潭411104;
阻变存储器; 氧化铝; 掺杂; 氧空位; 形成能;
机译:Pd掺杂二氧化铈中氧空位形成能:DFT + U研究
机译:Pd掺杂二氧化铈中氧空位形成能的DFT + U研究
机译:铜,锌,镁,铁,铌,钛,锆或钽掺杂的氧化镧对甲烷的氧化作用:活化能与氧空位形成能之间的联系
机译:基于第一原理模拟研究未掺杂,铝掺杂和氮掺杂的TaO_x基RRAM中氧空位的形成能
机译:对确定氧化物中氧空位形成能的性质的新见解。
机译:高通量DFT计算ABO3钙钛矿的形成能稳定性和氧空位形成能
机译:基于第一原理模拟的未掺杂,铝掺杂和氮掺杂TaOx基RRam氧空位的形成能研究
机译:镨掺杂氧化铈中氧空位扩散的动力晶格monte Carlo模型:材料设计的应用
机译:薄膜氧化物异质结构中氧空位掺杂和导电的界面控制
机译:具有氧空位并掺杂在Fe中的磷酸铁锂及其快速固相烧结的方法
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