InAs/GaAs 低维结构中载流子快速俘获过程的研究

李晴; 徐仲英; 葛惟昆

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InAs/GaAs 低维结构中载流子快速俘获过程的研究

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用简并激发-探测技术研究了77K温度下InAs/GaAs 量子点中载流子快速俘获和弛豫过程.在瞬态反射谱测量中,除观察到与GaAs有关的驰豫过程外(时间常数约为lps),还观察到一个时间常数为几个至20ps的反射率上升过程.提出了一个物理模型,表明上述上升过程与光致载流子被InAs层快速俘获过程有关,并由此得到载流子的俘获时间,俘获时间随载流子浓度增加而减小.

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来源
《红外与毫米波学报》 |2000年第5期|343-346|共4页
作者
李晴; 徐仲英; 葛惟昆;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083;

香港科技大学物理系,香港特别行政区,九龙;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
超快光谱; 低维结构; Ⅲ-Ⅴ簇半导体;

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