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一种对低维半导体载流子漂移过程直接成像的方法

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本发明提供了一种对低维半导体载流子漂移过程直接成像的方法。该方法包括，利用载流子传输层实现载流子的空间分离，使样品内只存在单一种类的载流子(电子或空穴)；通过平行板电容施加空间上均匀分布的外部电场；使用瞬态吸收显微系统对不同时间延迟下的载流子分布情况进行直接成像；通过高斯曲线拟合得到载流子的平均漂移距离，进一步结合场强大小与时间延迟拟合计算电子(或空穴)的迁移率。本发明克服了传统方法无法对低维半导体材料迁移率进行精确测量的局限性，并且提出了对单一种类载流子迁移率测量的方法，为揭示材料的光物理过程、探究对材料迁移率的影响因素提供实验测量方法。

著录项

公开/公告号CN113358607A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07

原文格式PDF
申请/专利权人北京理工大学;
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申请/专利号CN202110620363.5
发明设计人姜澜;高国权;朱彤;杨飞;邓昱铭;
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申请日2021-06-03
分类号G01N21/63(20060101);G01R31/26(20140101);
代理机构11639 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人邬晓楠
地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号
入库时间 2023-06-19 12:30:38

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法律状态公告日

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法律状态
2023-04-07

授权

发明专利权授予

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