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In0.2Ga0.8As/GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

         

摘要

对In0.2Ga0.8As/GaAs应变多量子阱在77K下的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比较.实验对比确认PR中11H、13H等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质.而11L、31H、22H等跃迁结构为阱间耦合态,对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性.

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