不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响

沈川; 刘仰融; 孙瑞赟; 卜顺栋; 陈路; 何力

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不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响

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对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时,通过二次离子质谱(SIMS)测试以及相应的理论拟合进行了验证。

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来源
《红外与毫米波学报》 |2022年第2期|425-429|共5页
作者
沈川; 刘仰融; 孙瑞赟; 卜顺栋; 陈路; 何力;
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作者单位

红外材料与器件重点实验室;

国科大杭州高等研究院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;掺杂;
关键词
碲镉汞; Hg空位; 钝化层; 热退火;

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