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肖云辉; 李海钰; 万宝全; 张奇伟;
内蒙古科技大学 材料与冶金学院 内蒙古 包头 014010;
储能材料; (K0.5 Na0.5)NbO3; 介电损耗; 储能密度;
机译:放电等离子体烧结制备无铅Na0.5 sub> K0.5 sub> NbO3 sub>压电陶瓷:退火对电性能的影响
机译:掺杂非化学计量(Na0.5 sub> K0.5 sub>)0.97 sub>(Nb0.90 sub> Ta0.1 sub>)O3 sub>陶瓷的压电和介电性能MnO2 sub>
机译:(1?x)(Na0.5 sub> K0.5 sub>)NbO3 sub> –x(Ba0.95 sub> Sr0.05 sub>)TiO3的合成及压电性能 sub>陶瓷
机译:Sb和Li掺杂的(Na0.5K0.5)NbO3无铅压电陶瓷的介电和压电性能
机译:掺杂和表面涂覆的锂化金属氧化物—作为电化学储能装置中阴极材料的合成和电化学性能
机译:电导率对电化学的影响层状结构三钒酸锂(LiV3-xMxO8M = Zn / Co / Fe / Sn / Ti / Zr / Nb / Mox = 0.01-0.1)作为储能阴极材料的性能
机译:通过射频磁控溅射沉积的Pb (Zr,Sn)Ti NbO3膜的结构和介电性能
机译:沉积过程中O2压力对射频溅射sn掺杂In2O3薄膜性能的影响。
机译:产生用于半导体的补偿区域的步骤包括:以横向移位的方式在第一区域中形成具有第一p导电性的初级掺杂材料储库,并扩散出初级掺杂材料储库。
机译:掺杂金属氧化物介电材料的电子元件及制造方法掺杂金属氧化物介电材料的电子元件
机译:掺杂金属氧化物介电材料的电子元件以及制备掺杂金属氧化物介电材料的电子元件的方法
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