BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料的介电性能研究

陈莹; 董显林; 高敏; 梁瑞虹; 曹菲

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BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料的介电性能研究

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采用传统的电子陶瓷制备工艺制备了BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料,并对样品的结构及其介电性能进行了表征与分析,讨论了Mg2SiO4/MgO掺杂对BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料结构和性能的影响.结果表明,与前其他掺杂改性的BSTO复合材料相比,BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料不仅可以在较低的温度烧结致密,而且在介电常数降低的同时,仍能保持较高的可调性,如BSTO/39wt%Mg2SiO4/17wt%MgO的介电常数εr为～80.21,在2kV/mm的直流偏置电场下,其可调性达到～12%,介电损耗为～0.003.

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来源
《无机材料学报》 |2005年第4期|1013-1018|共6页
作者
陈莹; 董显林; 高敏; 梁瑞虹; 曹菲;
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作者单位

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

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正文语种 chi
中图分类强性介质和压电介质;复合材料;
关键词
钛酸锶钡; 复合材料; 介电性能; 可调性;

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