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溅射功率对磁控溅射法制备MgF2薄膜组织和性能的影响

         

摘要

为了减少磁控溅射法沉积MgF2薄膜的F贫乏缺陷,在工作气体Ar2中加入SF6作为反应气体,在石英玻璃衬底上用射频磁控溅射法制备了MgF2薄膜,研究了溅射功率对MgF2薄膜化学成分、微观结构和光学性能的影响.结果表明,随着溅射功率从115 W增加到220 W,F:Mg的原子比不断增加,185 W时达到2.02,最接近理想化学计量比2:1;薄膜的结晶度先提高后降低,最后转变为非晶态;MgF2薄膜的颗粒尺寸先是有所增加,轮廓也变得更加清晰,最后又变得模糊.MgF2薄膜的折射率先减小后增大,在185 W时获得最低值,550 nm波长的折射率1.384非常接近MgF2块体晶体;镀膜玻璃在300~1100 nm范围内的透光率(以下简称薄膜透光率)先增大后减小,185 W时达到94.99%,比玻璃基底的透光率高出1.79%.

著录项

  • 来源
    《无机材料学报》 |2020年第9期|1064-1070|共7页
  • 作者单位

    天津工业大学材料科学与工程学院 天津 300387;

    天津工业大学分离膜材料与膜过程国家重点实验室 天津 300387;

    北京空间飞行器总体设计部 北京 100086;

    天津工业大学材料科学与工程学院 天津 300387;

    天津工业大学分离膜材料与膜过程国家重点实验室 天津 300387;

    天津工业大学材料科学与工程学院 天津 300387;

    天津工业大学分离膜材料与膜过程国家重点实验室 天津 300387;

    北京空间飞行器总体设计部 北京 100086;

    北京空间飞行器总体设计部 北京 100086;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 特种结构材料;光电池;玻璃工业;
  • 关键词

    MgF2薄膜; F贫乏; 透光率; 减反射; 溅射功率; 磁控溅射;

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