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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
SCI
EI
CA
中文名称:材料科学杂志:电子材料
ISSN:
0957-4522
出版周期:
发文量:633
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1.
Aluminum-doped zinc oxide films grown by atomic layer deposition for transparent electrode applications
机译:
通过原子层沉积生长的铝掺杂氧化锌膜,用于透明电极应用
作者:
G. Luka
;
T. A. Krajewski
;
B. S. Witkowski
;
G. Wisz
;
I. S. Virt
;
E. Guziewicz
;
M. Godlewski
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
2.
Effects of post-deposition annealing temperature and ambient on RF magnetron sputtered Sm
2
O
3
gate on n-type silicon substrate
机译:
沉积后退火温度和环境温度对n型硅衬底上射频磁控溅射Sm
2 sub> O
3 sub>栅极的影响
作者:
Wen Chiao Chin
;
Kuan Yew Cheong
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
3.
Two-step sintering and electrical properties of sol–gel derived 0.94(Bi
0.5
Na
0.5
)TiO
3
–0.06BaTiO
3
lead-free ceramics
机译:
溶胶-凝胶法0.94(Bi
0.5 sub> Na
0.5 sub>)TiO
3 sub> –0.06BaTiO
3 < / sub>无铅陶瓷
作者:
Weiqing Meng
;
Ruzhong Zuo
;
Shi Su
;
Xiaohui Wang
;
Longtu Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
4.
Fabrication of La
3
TaO
7
using a new precursor solution route by chemical solution method
机译:
化学溶液法利用新的前驱体溶液路线制备La
3 sub> TaO
7 sub>
作者:
Y. Wang
;
L. Zhou
;
Y. F. Lu
;
C. S. Li
;
Z. M. Yu
;
J. S. Li
;
L. H. Jin
;
Y. Shen
;
P. F. Wang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
5.
Dielectric and impedance spectroscopy study of Ba
0.8
Bi
2.133
Nb
1.6
Ta
0.4
O
9
ferroelectric ceramics, prepared by chemical route
机译:
Ba
0.8 sub> Bi
2.133 sub> Nb
1.6 sub> Ta
0.4 sub> O
9 sub的介电和阻抗谱研究>通过化学途径制备的铁电陶瓷
作者:
Prasanta Dhak
;
Debasis Dhak
;
Manasmita Das
;
Panchanan Pramanik
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
6.
Synthesis and characterization of CdS nanoparticles
机译:
CdS纳米粒子的合成与表征
作者:
R. Bhattacharya
;
T. K. Das
;
S. Saha
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
7.
Properties of neodymium-doped Ca
0.15
Sr
1.85
Bi
4
Ti
5
O
18
ferroelectric ceramics
机译:
掺钕的Ca
0.15 sub> Sr
1.85 sub> Bi
4 sub> Ti
5 sub> O
18 sub>的性质铁电陶瓷
作者:
Suhua Fan
;
Fengqing Zhang
;
Guitao Liu
;
Qingbo Tian
;
Luyi Zhu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
8.
Preparation and characterization of novel yellow pigments: hollow TiO
2
spheres doped with cerium
机译:
新型黄色颜料的制备和表征:铈掺杂的空心TiO
2 sub>球
作者:
Xiao-Wei Niu
;
Yue-Ming Sun
;
Shou-Nian Ding
;
Chao-Chao Chen
;
Bo Song
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
9.
RETRACTED ARTICLE: Magnetic properties and superparamagnetism of co-substituted Ni–Zn ferrite nanoparticles
机译:
收回的文章:共取代的Ni-Zn铁氧体纳米粒子的磁性和超顺磁性
作者:
M. M. Eltabey
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
10.
PVDF/PMMA blend pyroelectric thin films
机译:
PVDF / PMMA共混热电薄膜
作者:
Benoit Charlot
;
Sebastian Gauthier
;
Alexandra Garraud
;
Philippe Combette
;
Alain Giani
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
11.
Morphology tuned ZnS nanostructures for hydrogen gas sensing
机译:
形态调整的ZnS纳米结构用于氢气传感
作者:
M. Hafeez
;
U. Manzoor
;
A. S. Bhatti
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
12.
Influence of sintering temperature on piezoelectric properties of (K
0.4425
Na
0.52
Li
0.0375
)(Nb
0.8925
Sb
0.07
Ta
0.0375
)O
3
lead-free piezoelectric ceramics
机译:
烧结温度对(K
0.4425 sub> Na
0.52 sub> Li
0.0375 sub>)(Nb
0.8925 sub> Sb
0.07 sub> Ta
0.0375 sub>)O
3 sub>无铅压电陶瓷
作者:
Xuming Pang
;
Jinhao Qiu
;
Kongjun Zhu
;
Bin Shao
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
13.
Controlled synthesis of monodisperse silver nanocubes via a solvothermal method
机译:
溶剂热法可控合成单分散银纳米晶
作者:
Dapeng Chen
;
Gang Zhu
;
Xingong Zhu
;
Xueliang Qiao
;
Jianguo Chen
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
14.
Mechanical and electrical properties of nanocomposites containing hybrid fillers of disk-like copper and conductive carbon black
机译:
包含盘状铜和导电炭黑混合填料的纳米复合材料的机械和电性能
作者:
Xing Zhou
;
Guizhe Zhao
;
Huijun Niu
;
Yaqing Liu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
15.
A novel approach for synthesis of M-type hexaferrites nanopowders via the co-precipitation method
机译:
共沉淀法合成M型六价铁氧体纳米粉的新方法
作者:
M. M. Rashad
;
I. A. Ibrahim
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
16.
Morphology, structure, and magnetic properties of electrodeposited Ni films obtained from different pH solutions
机译:
从不同pH溶液获得的电沉积Ni膜的形貌,结构和磁性
作者:
M. Boubatra
;
A. Azizi
;
G. Schmerber
;
A. Dinia
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
17.
The combined effects of molar concentration of the precursor solution and fluorine doping on the structural and electrical properties of tin oxide films
机译:
前驱体溶液的摩尔浓度和氟掺杂对氧化锡膜结构和电性能的综合影响
作者:
L. Chinnappa
;
K. Ravichandran
;
K. Saravanakumar
;
G. Muruganantham
;
B. Sakthivel
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
18.
Influence of reaction time on growth of GaN nanowires fabricated by CVD method
机译:
反应时间对CVD法制备的GaN纳米线生长的影响
作者:
Feng Shi
;
Chengshan Xue
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
19.
Influence of Sm substitution on the phase, microstructure and microwave dielectric properties of SrLa
4
Ti
5
O
17
机译:
Sm替代对SrLa
4 sub> Ti
5 sub> O
17 sub>的相,微观结构和微波介电性能的影响
作者:
A. Manan
;
Y. Iqbal
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
20.
Effect of simultaneous double doping in Ba and Ti sites on dielectric and ferroelectric properties of sol–gel synthesized nano-BaTiO
3
机译:
钡和钛位同时掺杂对溶胶-凝胶法合成纳米BaTiO
3 sub>的介电和铁电性能的影响
作者:
Ch. Sameera Devi
;
M. Vithal
;
G. S. Kumar
;
G. Prasad
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2011年第12期
21.
Influence of sputtering power on the physical properties of magnetron sputtered molybdenum oxide films
机译:
溅射功率对磁控溅射氧化钼膜物理性能的影响
作者:
V. Nirupama
;
S. Uthanna
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
22.
In situ and ex situ investigation on the annealing performance of the ZnO film grown by ion beam deposition
机译:
离子束沉积生长ZnO薄膜的退火性能的原位和异位研究
作者:
Tao Chen
;
Shu-Yi Liu
;
Qi Xie
;
Christophe Detavernier
;
R. L. Van Meirhaeghe
;
Xin-Ping Qu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
23.
Structural and magnetic properties of nanocrystalline Mg–Cd ferrites prepared by oxalate co-precipitation method
机译:
草酸盐共沉淀法制备的纳米晶Mg-Cd铁氧体的结构和磁性
作者:
A. B. Gadkari
;
T. J. Shinde
;
P. N. Vasambekar
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
24.
Physical and electrical properties of polyimide/ceramic hybrid films prepared via non-hydrolytic sol–gel process
机译:
通过非水解溶胶-凝胶法制备的聚酰亚胺/陶瓷杂化膜的物理和电学性质
作者:
Sea-Fue Wang
;
Yuh-Ruey Wang
;
Kuo-Chung Cheng
;
Shih-Hsin Chen
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
25.
Development of Sn–Zn lead-free solders bearing alloying elements
机译:
具有合金元素的Sn-Zn无铅焊料的开发
作者:
Liang Zhang
;
Song-bai Xue
;
Li-li Gao
;
Zhong Sheng
;
Huan Ye
;
Zheng-xiang Xiao
;
Guang Zeng
;
Yan Chen
;
Sheng-lin Yu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
26.
A new luminescent molecular based terbium hybrid material containing both organic polymeric chains and inorganic silica networks
机译:
一种新的基于发光分子的hybrid杂化材料,同时包含有机聚合物链和无机二氧化硅网络
作者:
Kai Sheng
;
Bing Yan
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
27.
Temperature measurement at flip chip solder joint during electromigration test
机译:
电迁移测试期间倒装芯片焊点的温度测量
作者:
Kimihiro Yamanaka
;
Takafumi Ooyoshi
;
Takayuki Nejime
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
28.
Effect of rare earth element additions on the impression creep of Sn–9Zn solder alloy
机译:
稀土元素对Sn-9Zn焊料合金压痕蠕变的影响
作者:
R. Mahmudi
;
A. R. Geranmayeh
;
B. Zahiri
;
M. H. Marvasti
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
29.
Controllable synthesis and luminescence property of LnPO
4
(Ln = La, Gd, Y) nanocrystals
机译:
LnPO
4 sub>(Ln = La,Gd,Y)纳米晶体的可控合成与发光性能
作者:
Songzhu Lin
;
Xiangting Dong
;
Ruokun Jia
;
Yanlin Yuan
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
30.
Properties of surface treated transparent conducting single walled carbon nanotube films
机译:
表面处理的透明导电单壁碳纳米管薄膜的性能
作者:
S. Manivannan
;
Je Hwang Ryu
;
Han Eol Lim
;
M. Nakamoto
;
Jin Jang
;
Kyu Chang Park
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
31.
Sublimation growth of titanium nitride crystals
机译:
氮化钛晶体的升华生长
作者:
Li Du
;
J. H. Edgar
;
Edward A. Kenik
;
Harry Meyer
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
32.
Selective growth of carbon nanotubes using catalyst poisoning and geometric trench
机译:
使用催化剂中毒和几何沟槽选择性生长碳纳米管
作者:
Wen-Teng Chang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
33.
Effect of γ-irradiation on the frequency-independent parameters of an equivalent circuit for two-dimensional island platinum films
机译:
γ辐照对二维岛状铂薄膜等效电路频率无关参数的影响
作者:
S. El-Gamal
;
A. G. Bishay
;
S. M. Diab
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
34.
Synthesis, structural analysis and microwave dielectric properties of Bi
x
Ln
1−x
TiTaO
6
(Ln = Ce, Pr and Nd) Ceramics
机译:
Bi
x sub> Ln
1-x sub> TiTaO
6 sub>(Ln = Ce,Pr和Nd)陶瓷的合成,结构分析和微波介电性能
作者:
H. Padma Kumar
;
Sumesh George
;
J. K. Thomas
;
Sam Solomon
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
35.
Microstructure and properties of Al-doped ZnO thin films by nonreactive DC magnetron sputtering at room temperature following rapid thermal annealing
机译:
快速热退火后室温下无反应直流磁控溅射Al掺杂ZnO薄膜的组织和性能
作者:
Hua Wang
;
Jiwen Xu
;
Mingfang Ren
;
Ling Yang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第1期
36.
Effects of Ga, Al, Ag, and Ce multi-additions on the properties of Sn–9Zn lead-free solder
机译:
镓,铝,银和铈的多种添加对Sn-9Zn无铅焊料性能的影响
作者:
Hui Wang
;
Songbai Xue
;
Feng Zhao
;
Wenxue Chen
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
37.
Structural and electrical properties of Ba
5
SmTi
3
V
7
O
30
ceramics
机译:
Ba
5 sub> SmTi
3 sub> V
7 sub> O
30 sub>陶瓷的结构和电性能
作者:
P. S. Sahoo
;
A. Panigrahi
;
S. K. Patri
;
R. N. P. Choudhary
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
38.
Effect of vanadium doping on sintering and dielectric properties of strontium barium niobate ceramics
机译:
钒掺杂对铌酸锶钡陶瓷的烧结及介电性能的影响
作者:
Guo-hua Chen
;
Hua-rui Xu
;
Min-hong Jiang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
39.
Correlation of luminescent properties of ZnO and Eu doped ZnO nanorods
机译:
ZnO和Eu掺杂ZnO纳米棒的发光特性的相关性
作者:
Yuming Yang
;
Hua Lai
;
Chunyan Tao
;
Hua Yang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
40.
Structural analysis of an InGaN/GaN based light emitting diode by X-ray diffraction
机译:
基于X射线衍射的InGaN / GaN基发光二极管的结构分析
作者:
M. K. Öztürk
;
Yu Hongbo
;
B. Sarıkavak
;
S. Korçak
;
S. Özçelik
;
E. Özbay
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
41.
Frequency-dependent dielectric and electric modulus properties of Li–Ni–Sm–Fe–O spinel embedded in conducting polymer
机译:
嵌入导电聚合物中的Li–Ni–Sm–Fe–O尖晶石的随频率变化的介电和电模量特性
作者:
Lunhong Ai
;
Jing Jiang
;
Liangchao Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
42.
Saturation magnetization and structural analysis of Ni
0.6
Zn
0.4
Nd
y
Fe
2−y
O
4
by XRD, IR and SEM techniques
机译:
Ni
0.6 sub> Zn
0.4 sub> Nd
y sub> Fe
2-y sub> O
4 <的饱和磁化强度和结构分析/ sub>通过XRD,IR和SEM技术
作者:
T. J. Shinde
;
A. B. Gadkari
;
P. N. Vasambekar
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
43.
Sol–gel ZnO in organic transistor-based non-volatile memory
机译:
基于有机晶体管的非易失性存储器中的溶胶凝胶ZnO
作者:
Tianyi Wu
;
Kean C. Aw
;
Noviana Tjitra Salim
;
Wei Gao
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
44.
The ferroelectric properties and residual stress analysis of Bi
3.15
Nd
0.85
Ti
3
O
12
thin films with a LaNiO
3
buffer layer
机译:
具有LaNiO <的Bi
3.15 sub> Nd
0.85 sub> Ti
3 sub> O
12 sub>薄膜的铁电性能和残余应力分析sub> 3 sub>缓冲层
作者:
Li Jia
;
Yu Jun
;
Wang Yunbo
;
Peng Gang
;
Li Jianjun
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
45.
Effects of bottom electrodes on dielectric properties of epitaxial 2% Mn doped Ba(Zr
0.2
Ti
0.8
)O
3
thin films
机译:
底部电极对2%Mn掺杂Ba(Zr
0.2 sub> Ti
0.8 sub>)O
3 sub>外延薄膜的介电性能的影响
作者:
W. J. Jie
;
Y. Zhang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
46.
Microstructural properties of ZnO:Sn thin films deposited by intermittent spray pyrolysis process
机译:
间歇喷雾热解法沉积ZnO:Sn薄膜的微观结构性能
作者:
F. Kadi Allah
;
L. Cattin
;
M. Morsli
;
A. Khelil
;
N. Langlois
;
J. C. Bernède
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
47.
Preparation and characterization of cordierite filled PTFE laminates for microwave substrate applications
机译:
微波基材应用堇青石填充的PTFE层压板的制备和表征
作者:
K. P. Murali
;
S. Rajesh
;
K. Stanly Jacob
;
Om Prakash
;
A. R. Kulkarni
;
R. Ratheesh
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
48.
High voltage SnO
2
varistors prepared from nanocrystalline powders
机译:
由纳米晶体粉末制备的高压SnO
2 sub>压敏电阻
作者:
Mohammad Maleki Shahraki
;
Seyyed Ali Shojaee
;
Ali Nemati
;
Mohammad Ali Faghihi Sani
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
49.
Frequency-dependent dielectric and electric modulus properties of Li–Ni–Sm–Fe–O spinel embedded in conducting polymer
机译:
嵌入导电聚合物中的Li–Ni–Sm–Fe–O尖晶石的随频率变化的介电和电模量特性
作者:
Lunhong Ai
;
Jing Jiang
;
Liangchao Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
50.
Synthesis and characterization of Al
2
O
3
–ZrO
2
nanocomposite powder by sucrose process
机译:
蔗糖法合成Al
2 sub> O
3 sub> –ZrO
2 sub>纳米复合粉及其表征
作者:
A. Beitollahi
;
H. Hosseini-Bay
;
H. Sarpoolaki
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
51.
Effect of lithium magnesium zinc borosilicate glass addition on densification temperature and dielectric properties of Mg
2
SiO
4
ceramics
机译:
锂镁锌硼硅酸盐玻璃的添加对Mg
2 sub> SiO
4 sub>陶瓷致密化温度和介电性能的影响
作者:
T. S. Sasikala
;
C. Pavithran
;
M. T. Sebastian
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
52.
Effects of annealing temperature and thickness on microstructure and properties of sol–gel derived multilayer Al-doped ZnO films
机译:
退火温度和厚度对溶胶凝胶衍生的多层铝掺杂ZnO薄膜组织和性能的影响
作者:
Hua Wang
;
Muhui Xu
;
Jiwen Xu
;
Ling Yang
;
Shangju Zhou
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
53.
The effects of native and light induced defects on optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–germanium (a-SiGe:H) alloy thin films
机译:
自然和光致缺陷对氢化非晶硅锗(a-SiGe:H)合金薄膜的光电性能的影响
作者:
M. Güneş
;
M. E. D. Yavas
;
J. Klomfass
;
F. Finger
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第2期
54.
Crystallization of silicon films by new metal mediated mechanism
机译:
新型金属介导机制使硅膜结晶
作者:
Chiung Wei Lin
;
Seng Chi Lee
;
Yeong Shyang Lee
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
55.
Copper pillar bump design optimization for lead free flip-chip packaging
机译:
优化无铅倒装芯片封装的铜柱凸点设计
作者:
K. M. Chen
;
T. S. Lin
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
56.
Investigation on deep level defects in rapid thermal annealed undoped n-type InP
机译:
快速热退火非掺杂n型InP的深层缺陷研究
作者:
V. Janardhanam
;
A. Ashok Kumar
;
V. Rajagopal Reddy
;
P. Narasimha Reddy
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
57.
Structure and electrical properties of Bi
0.5
Na
0.5
TiO
3
-Y
0.5
Na
0.5
TiO
3
-BaTiO
3
lead-free piezoelectric ceramics
机译:
Bi
0.5 sub> Na
0.5 sub> TiO
3 sub> -Y
0.5 sub> Na
0.5 sub的结构和电性能> TiO
3 sub> -BaTiO
3 sub>无铅压电陶瓷
作者:
Dunmin Lin
;
K. W. Kwok
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
58.
Doping effect of Mg2+ on BaTiO
3
-based metal–dielectric composite system
机译:
Mg 2 + sup>对BaTiO
3 sub>基金属介电复合体系的掺杂作用
作者:
Lingxia Li
;
Yu Liang
;
Ping Zhang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
59.
Two critical grain sizes of Ba
0.6
Sr
0.4
TiO
3
thin films
机译:
Ba
0.6 sub> Sr
0.4 sub> TiO
3 sub>薄膜的两个临界晶粒尺寸
作者:
Hongwei Chen
;
Chuanren Yang
;
Jihua Zhang
;
Wenjian Leng
;
Hong Ji
;
Zhihong Wang
;
Jiaxuan Liao
;
Li Zhao
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
60.
Microstructure and electrical properties of (Ta, Co, Pr) doped TiO
2
based electroceramics
机译:
(Ta,Co,Pr)掺杂的TiO
2 sub>基电陶瓷的微观结构和电性能
作者:
V. C. Sousa
;
M. M. Oliveira
;
M. O. Orlandi
;
E. Longo
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
61.
Microwave dielectric properties of low temperature firing (Li
1/2
Nd
1/2
)WO
4
ceramic
机译:
Li
1/2 sub> Nd
1/2 sub>)WO
4 sub>陶瓷低温烧结的微波介电性能
作者:
Huanfu Zhou
;
Hong Wang
;
Kecheng Li
;
Minghui Zhang
;
Haibo Yang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
62.
Study on creep characterization of nano-sized Ag particle-reinforced Sn–Pb composte solder joints
机译:
纳米Ag颗粒增强Sn-Pb复合焊料接头的蠕变表征研究
作者:
Yaowu Shi
;
Jianping Liu
;
Zhidong Xia
;
Yongping Lei
;
Fu Guo
;
Xiaoyan Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
63.
Low temperature sintering of Li
1.1
Nb
0.58
Ti
0.5
O
3
-xBi
2
O
3
dielectric with adjustable temperature coefficient
机译:
Li
1.1 sub> Nb
0.58 sub> Ti
0.5 sub> O
3 sub> -xBi
2 sub>的低温烧结可调温度系数的O
3 sub>电介质
作者:
Ping Zhang
;
Lingxia Li
;
Guochao Li
;
Wei Zhang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
64.
Low-temperature fabrication of BaBi
2
Nb
2
O
9
ceramics by reaction controlled sintering
机译:
反应控制烧结法低温制备BaBi
2 sub> Nb
2 sub> O
9 sub>陶瓷
作者:
Tatsuhiro Shigyo
;
Hidenobu Itoh
;
Junichi Takahashi
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
65.
Effect of post annealing on structural and optical properties of ZnO thin films deposited by vacuum coating technique
机译:
后退火对真空镀膜沉积ZnO薄膜结构和光学性能的影响
作者:
C. Periasamy
;
Rajiv Prakash
;
P. Chakrabarti
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
66.
The sensitivity of the electron transport within bulk wurtzite indium nitride to variations in the crystal temperature, the doping concentration, and the non-parabolicity coefficient: an updated Monte Carlo analysis
机译:
体纤锌矿型氮化铟中电子传输对晶体温度,掺杂浓度和非抛物线系数变化的敏感性:最新的蒙特卡洛分析
作者:
Stephen K. O’Leary
;
Brian E. Foutz
;
Michael S. Shur
;
Lester F. Eastman
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
67.
Study on properties of forsterite/cordierite ceramic composites
机译:
镁橄榄石/堇青石陶瓷复合材料的性能研究
作者:
Haikui Zhu
;
Hongqing Zhou
;
Ying Xie
;
Min Liu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
68.
Impression creep of the rare-earth doped Sn–2%Bi lead-free solder alloy
机译:
稀土掺杂Sn–2%Bi无铅焊料合金的蠕变
作者:
R. Mahmudi
;
A. R. Geranmayeh
;
M. Salehi
;
H. Pirayesh
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
69.
Structure and piezoelectric properties of lead-free (Na
0.52
K
0.44−x
)(Nb
0.95−x
Sb
0.05
)O
3
-xLiTaO
3
ceramics
机译:
无铅(Na
0.52 sub> K
0.44−x sub>)(Nb
0.95−x sub> Sb
0.05 sub>的结构和压电性能>)O
3 sub> -xLiTaO
3 sub>陶瓷
作者:
Jian Fu
;
Ruzhong Zuo
;
Danya Lv
;
Yi Liu
;
Yang Wu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第3期
70.
Effect of Mn doping on the dielectric properties of BaZr
0.2
Ti
0.8
O
3
ceramics
机译:
Mn掺杂对BaZr
0.2 sub> Ti
0.8 sub> O
3 sub>陶瓷介电性能的影响
作者:
Wei Cai
;
Chunlin Fu
;
Jiacheng Gao
;
Xiaoling Deng
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
71.
Electrochemical deposition of CuInTe
2
layers for applications in thin film solar cells
机译:
用于薄膜太阳能电池的CuInTe
2 sub>层的电化学沉积
作者:
G. E. A. Muftah
;
A. P. Samantilleke
;
P. D. Warren
;
S. N. Heavens
;
I. M. Dharmadasa
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
72.
Substrate temperature dependent physical properties of sprayed Zn
0.76
Mg
0.24
O films
机译:
Zn
0.76 sub> Mg
0.24 sub> O薄膜的基底温度依赖性
作者:
P. Prathap
;
A. Suryanarayana Reddy
;
N. Revathi
;
Y. P. Venkata Subbaiah
;
K. T. Ramakrishna Reddy
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
73.
Preparation and charge transport studies of chemically synthesized polyaniline
机译:
化学合成聚苯胺的制备及电荷迁移研究
作者:
Atul Kapil
;
Manish Taunk
;
Subhash Chand
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
74.
A study on CSC-derived Ba
2
Ti
9
O
20
phase formation and its dielectric property
机译:
CSC衍生的Ba
2 sub> Ti
9 sub> O
20 sub>相的形成及其介电性能的研究
作者:
Xiao Lou
;
Wenjian Weng
;
Kui Cheng
;
Chenlu Song
;
Piyi Du
;
Ge Shen
;
Gaorong Han
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
75.
Identification and control of SiC polytypes in PVT method
机译:
PVT法中SiC多晶型的鉴定与控制
作者:
Shenghuang Lin
;
Zhiming Chen
;
Bo Liu
;
Lianbi Li
;
Xianfeng Feng
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
76.
Structural investigations of some bismuth–borate–vanadate glasses doped with gadolinium ions
机译:
掺g离子的硼酸铋钒酸盐玻璃的结构研究
作者:
Petru Pascuta
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
77.
ZnO nanocrystalline thin films: a correlation of microstructural, optoelectronic properties
机译:
ZnO纳米晶体薄膜:微观结构,光电性能的相关性
作者:
V. B. Patil
;
S. G. Pawar
;
S. L. Patil
;
S. B. Krupanidhi
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
78.
Structural stability of In
2
O
3
films as sensor materials
机译:
In
2 sub> O
3 sub>薄膜作为传感器材料的结构稳定性
作者:
V. Smatko
;
V. Golovanov
;
C. C. Liu
;
A. Kiv
;
D. Fuks
;
I. Donchev
;
M. Ivanovskaya
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
79.
Dielectric and magnetic properties of Ca(Zn
1/3
Nb
2/3
)O
3
/NiZn ferrite composites
机译:
Ca(Zn
1/3 sub> Nb
2/3 sub>)O
3 sub> / NiZn铁氧体复合材料的介电和磁性能
作者:
Haibo Yang
;
Ying Lin
;
Jianfeng Zhu
;
Fen Wang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
80.
High efficient ultraviolet photocatalytic activity of BiFeO
3
nanoparticles synthesized by a chemical coprecipitation process
机译:
化学共沉淀法合成BiFeO
3 sub>纳米粒子的高效紫外光催化活性
作者:
Zhike Liu
;
Yajun Qi
;
Chaojing Lu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
81.
Effect of rapid thermal annealing treatment on the field-emission characteristics of nanocrystalline diamonds grown on various metal/silicon substrates
机译:
快速热退火处理对各种金属/硅衬底上生长的纳米晶金刚石场发射特性的影响
作者:
Chun-Shin Yeh
;
Dau-Chung Wang
;
Bohr-Ran Huang
;
Shih-Fong Lee
;
Jung-Fu Hsu
;
Jen-Yuan Mao
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
82.
Ferroelectric and antiferroelectric polarisation switching characteristics of Bi(Mg
0.5
Ti
0.5
)O
3
–PbTiO
3
ceramics
机译:
Bi(Mg
0.5 sub> Ti
0.5 sub>)O
3 sub> –PbTiO
3 sub>陶瓷的铁电和反铁电极化转换特性
作者:
S. Sharma
;
D. A. Hall
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
83.
Facile synthesis and characterization of polypyrrole/Co
3
O
4
nanocomposites with adjustable intrinsic electroconductivity
机译:
可调节固有电导率的聚吡咯/ Co
3 sub> O
4 sub>纳米复合材料的简便合成与表征
作者:
Lunhong Ai
;
J. Jiang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
84.
Electrical properties of SnO
2
based varistor ceramics with CuO addition
机译:
添加CuO的SnO
2 sub>压敏陶瓷的电学性能
作者:
A. V. Gaponov
;
A. B. Glot
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
85.
Structural and electrical studies of nano structured Sn
1−x
Sb
x
O
2
(x = 0.0, 1, 2.5, 4.5 and 7 at%) prepared by co-precipitation method
机译:
纳米结构Sn
1-x sub> Sb
x sub> O
2 sub>的结构和电学研究(x = 0.0、1、2.5、4.5和7 at% )通过共沉淀法制备
作者:
V. Senthilkumar
;
P. Vickraman
;
M. Jayachandran
;
C. Sanjeeviraja
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
86.
Orthogonal analysis for perovskite structure microwave dielectric ceramic thin films fabricated by the RF magnetron-sputtering method
机译:
射频磁控溅射法制备钙钛矿结构微波介电陶瓷薄膜的正交分析
作者:
Cui Chuanwen
;
Shi Feng
;
Li Yuguo
;
Wang Shuyun
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
87.
Dielectric and piezoelectric properties of YMnO
3
modified Bi
0.5
Na
0.5
TiO
3
lead-free piezoelectric ceramics
机译:
YMnO
3 sub>改性Bi
0.5 sub> Na
0.5 sub> TiO
3 sub>无铅压电陶瓷的介电和压电性能
作者:
Changrong Zhou
;
Xinyu Liu
;
Weizhou Li
;
Changlai Yuan
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第4期
88.
Electrical properties of the CdS/InP solar cell for photovoltaic applications
机译:
用于光伏应用的CdS / InP太阳能电池的电性能
作者:
A. A. Ibrahim
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
89.
Structural and electrical properties of fritless Ni
(1−x)
Cu
x
Mn
2
O
4
(0 ≤ x ≤ 1) thick film NTC ceramic
机译:
Ni
(1-x) sub> Cu
x sub> Mn
2 sub> O
4 sub>的无熔结的结构和电性能(0≤x ≤1)厚膜NTC陶瓷
作者:
Rupali Jadhav
;
Deepti Kulkarni
;
Vijaya Puri
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
90.
Carbon helixes produced by hot filament assisted chemical vapor deposition
机译:
热丝辅助化学气相沉积产生的碳螺旋
作者:
Ahalapitiya H. Jayatissa
;
Kun Guo
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
91.
Orientation controlling of Pb(Zr
0.53
Ti
0.47
)O
3
thin films prepared on silicon substrates with the thickness of La
0.5
Sr
0.5
CoO
3
electrodes
机译:
厚度为La
0.5 s>的硅衬底上制备的Pb(Zr
0.53 sub> Ti
0.47 sub>)O
3 sub>薄膜的取向控制sub> Sr
0.5 sub> CoO
3 sub>电极
作者:
Feng Chen
;
Jinrong Cheng
;
Shenwen Yu
;
Zhongyan Meng
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
92.
Phase transition and domain variation contributions to piezoelectric properties of alkaline niobate based lead-free systems
机译:
相变和畴变对碱性铌酸盐无铅体系压电性能的贡献
作者:
Ruzhong Zuo
;
Jian Fu
;
Xiaohui Wang
;
Longtu Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
93.
InAs quantum dot superluminescent diodes with trench structure
机译:
具有沟槽结构的InAs量子点超发光二极管
作者:
Young Chae Yoo
;
Lee-Hyun Kim
;
Il Ki Han
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
94.
Dielectric and ferromagnetic properties of BaTiO
3
/Ni
0.93
Co
0.02
Cu
0.05
Fe
2
O
4
composites
机译:
BaTiO
3 sub> / In
0.93 sub>县
0.02 sub> Cu
0.05 sub> Fe
2 sub的介电和铁磁性能> O
4 sub>复合材料
作者:
Jiang li Chen
;
Zhuo Xu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
95.
Effects of Ag on microstructures, wettabilities of Sn–9Zn–xAg solders as well as mechanical properties of soldered joints
机译:
Ag对Sn-9Zn-xAg焊料的微观结构,润湿性以及焊点力学性能的影响
作者:
Wen Xue Chen
;
Song Bai Xue
;
Hui Wang
;
Jian Xin Wang
;
Zong Jie Han
;
Li Li Gao
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
96.
Effect of oxygen to argon ratio on the properties of thin SiO
x
films deposited by r.f. sputtering
机译:
氧氩比对r.f沉积SiO
x sub>薄膜的性能的影响溅镀
作者:
J. M. Terrazas
;
N. Nedev
;
E. Manolov
;
B. Valdez
;
D. Nesheva
;
M. A. Curiel
;
R. Haasch
;
I. Petrov
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
97.
A review on the interfacial intermetallic compounds between Sn–Ag–Cu based solders and substrates
机译:
Sn-Ag-Cu基焊料与基底之间的界面金属间化合物综述
作者:
Guang Zeng
;
Songbai Xue
;
Liang Zhang
;
Lili Gao
;
Wei Dai
;
Jiadong Luo
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
98.
Effect of silver nanostructures on the resistivity of electrically conductive adhesives composed of silver flakes
机译:
银纳米结构对薄片状导电胶电阻率的影响
作者:
Dapeng Chen
;
Xueliang Qiao
;
Xiaolin Qiu
;
Fatang Tan
;
Jianguo Chen
;
Renzhi Jiang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
99.
Investigation on properties of Ga to Sn–9Zn lead-free solder
机译:
Ga对Sn-9Zn无铅焊料的性能研究
作者:
Wenxue Chen
;
Songbai Xue
;
Hui Wang
;
Jianxin Wang
;
Zongjie Han
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
100.
Photocatalytic activities of hollow and hierarchical Bi
3.15
Nd
0.85
Ti
3
O
12
microspheres synthesized through a hydrothermal process
机译:
水热法合成空心Bi(sub> 3.15 sub> Nd
0.85 sub> Ti
3 sub> O
12 sub>微空心球的光催化活性
作者:
Zhizheng Wang
;
Yajun Qi
;
Hongyan Qi
;
Chaojing Lu
;
Shimin Wang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第5期
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