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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
>2010年第10期
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
SCI
EI
CA
中文名称:材料科学杂志:电子材料
ISSN:
0957-4522
出版周期:
发文量:633
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1.
Effects of Al content on the properties of ZnO:Al films prepared by Al
2
O
3
and ZnO co-sputtering
机译:
Al含量对Al
2 sub> O
3 sub>和ZnO共溅射制备ZnO:Al膜性能的影响
作者:
Zhonghua Deng
;
Changgang Huang
;
Jiquan Huang
;
Meili Wang
;
Hong He
;
Hai Wang
;
Yongge Cao
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
2.
Editorial: The 20th anniversary of J. Mater. Sci: Materials in Electronics
机译:
社论:J. Mater 20周年。科学学:电子材料
作者:
Arthur Willoughby
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
3.
Investigation of the fracture morphologies of Sn3.8Ag0.7Cu joints under high-velocity conditions
机译:
高速条件下Sn3.8Ag0.7Cu接头的断裂形态研究
作者:
Ning Zhang
;
Yaowu Shi
;
Fu Guo
;
Yongpei Lei
;
Zhidong Xia
;
Li Tian
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
4.
Biomimetically-inspired photonic nanomaterials
机译:
仿生启发的光子纳米材料
作者:
Gregory J. Parker
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
5.
Effect of ZnO buffer layer on AZO film properties and photovoltaic applications
机译:
ZnO缓冲层对AZO薄膜性能和光伏应用的影响
作者:
J. H. Shi
;
S. M. Huang
;
J. B. Chu
;
H. B. Zhu
;
Z. A. Wang
;
X. D. Li
;
D. W. Zhang
;
Z. Sun
;
W. J. Cheng
;
F. Q. Huang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
6.
A study of the growth mechanism of CVD-grown ZnO nanowires
机译:
CVD生长的ZnO纳米线的生长机理研究
作者:
Hong Wan
;
Harry E. Ruda
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
7.
Sn-rich phase coarsening during isothermal annealing for as-soldered Sn–Ag–Cu solder
机译:
焊锡-银-铜焊料的等温退火过程中富锡相的粗化
作者:
N. Saud
;
A. Jalar
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
8.
PF127 aided preparation of super-porous TiO
2
film used in highly efficient quasi-solid-state dye-sensitized solar cell
机译:
PF127辅助制备用于高效准固态染料敏化太阳能电池的TiO
2 sub>多孔膜
作者:
Zhang Lan
;
Jihuai Wu
;
Jianming Lin
;
Miaoliang Huang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
9.
Dielectric and piezoelectric properties of (Bi,Na,Li)TiO
3
–Ba(Ti,Zr)O
3
lead-free ceramics
机译:
(Bi,Na,Li)TiO
3 sub> –Ba(Ti,Zr)O
3 sub>无铅陶瓷的介电和压电性能
作者:
Yanqiu Huang
;
Yixiong Liu
;
Lanfang Gao
;
Tiantian Liu
;
Guoxi Zhang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
10.
Ferroelectric and piezoelectric properties of new NaNbO
3
–Bi
0.5
K
0.5
TiO
3
lead-free ceramics
机译:
新型NaNbO
3 sub> –Bi
0.5 sub> K
0.5 sub> TiO
3 sub>无铅陶瓷的铁电和压电性能
作者:
Dunmin Lin
;
K. W. Kwok
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
11.
Azo-carbazole dye chromophore as promising materials for diffraction grating recording
机译:
偶氮咔唑染料发色团是用于衍射光栅记录的有前途的材料
作者:
J. Niziol
;
E. Gondek
;
K. J. Pluciñski
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
12.
CTAB-assisted hydrothermal synthesis of single-crystalline copper-doped ZnO nanorods and investigation of their photoluminescence properties
机译:
CTAB辅助水热合成单晶掺杂铜的ZnO纳米棒及其光致发光性能的研究
作者:
Prabhakar Rai
;
Suraj Kumar Tripathy
;
Nam-Hee Park
;
In-Hwan Lee
;
Yeon-Tae Yu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
13.
Effect of Y
2
O
3
particles on microstructure formation and shear properties of Sn-58Bi solder
机译:
Y
2 sub> O
3 sub>颗粒对Sn-58Bi焊料组织形成和剪切性能的影响
作者:
Xiaoying Liu
;
Mingliang Huang
;
C. M. L. Wu
;
Lai Wang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
14.
Thermomigration and electromigration in Sn58Bi ball grid array solder joints
机译:
Sn58Bi球栅阵列焊点中的热迁移和电迁移
作者:
X. Gu
;
K. C. Yung
;
Y. C. Chan
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
15.
ZrO
2
thin films on Si substrate
机译:
Si衬底上的ZrO
2 sub>薄膜
作者:
Yew Hoong Wong
;
Kuan Yew Cheong
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
16.
Investigating polysilicon thin film structural changes during rapid thermal annealing of a thin film crystalline silicon on glass solar cell
机译:
研究玻璃太阳能电池上薄膜晶体硅的快速热退火过程中的多晶硅薄膜结构变化
作者:
Ian Brazil
;
Martin A. Green
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
17.
Investigation on electrical and microstructural properties of Thick Film Lead-Free resistor series under various firing conditions
机译:
不同烧成条件下厚膜无铅电阻器系列的电和微观结构性能研究
作者:
Konrad Kiełbasiński
;
Małgorzata Jakubowska
;
Anna Młożniak
;
Marko Hrovat
;
Janez Holc
;
Darko Belavič
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
18.
Effects of reflow atmosphere and flux on Sn whisker growth of Sn–Ag–Cu solders
机译:
回流气氛和助熔剂对Sn-Ag-Cu焊料的锡晶须生长的影响
作者:
Alongheng Baated
;
Keun-Soo Kim
;
Katsuaki Suganuma
;
Sharon Huang
;
Benjamin Jurcik
;
Shigeyoshi Nozawa
;
Minoru Ueshima
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
19.
Effect of barrier layer composition and thickness on structural and optical properties of TlInGaAsN/TlGaAs(N) triple quantum wells
机译:
势垒层组成和厚度对TlInGaAsN / TlGaAs(N)三量子阱结构和光学性质的影响
作者:
Kang Min Kim
;
Daivasigamani Krishnamurthy
;
Yuji Sakai
;
Jong-Uk Seo
;
Shigehiko Hasegawa
;
Hajime Asahi
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
20.
Kerr modulators based on polymer-dispersed liquid crystal complexes
机译:
基于聚合物分散的液晶配合物的Kerr调制器
作者:
J. Niziol
;
R. Węgłowski
;
S. J. Kłosowicz
;
A. Majchrowski
;
P. Rakus
;
A. Wojciechowski
;
I. V. Kityk
;
S. Tkaczyk
;
E. Gondek
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第10期
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