退火气氛对ZnO薄膜晶体管电学稳定性的影响

张文通; 高晓红

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退火气氛对ZnO薄膜晶体管电学稳定性的影响

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cqvip:在低温条件下(90℃)使用射频磁控溅射在表面长有100 nm厚的氧化硅绝缘层的硅衬底上沉积ZnO薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,然后放入不同气氛下进行退火.研究不同的退火气氛对ZnO薄膜晶体管(TFT)的电学性能的影响,并对ZnO薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试和光致发光(PL)测试,使用场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面形貌.实验结果表明,不同的退火气氛对ZnO薄膜晶体管的性能有着显著的影响,在N2氛围下进行退火的器件性能最优,电流开关比达到了5.88×107,滞回稳定性ΔVTH仅为0.2 V,界面态密度DIT为3.34×1012cm-2eV-1.

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来源
《吉林建筑大学学报》 |2019年第5期|P.81-86|共6页
作者
张文通; 高晓红;
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作者单位

吉林建筑大学电气与计算机学院长春130118;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类特种结构材料;
关键词
ZnO薄膜晶体管; 滞回稳定性; 退火;

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