电子束蒸发a-Si_(1-x)Cr_x薄膜的ESR研究

甘润今; 陈光华; 张津燕; 张仿清

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电子束蒸发a-Si_(1-x)Cr_x薄膜的ESR研究

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本文报导对电子束蒸发的 a-Si_(1-x)Cr_x 薄膜的 ESR 研完结果.实验结果表明,随掺 Cr 组分 X 的变化,薄膜的各个 ESR 特性参数都发生变化:(2.0034±0.0001)≤g≤(2.0052±0.0001).线型因子1为(2.14±0.01)≤1≤(3.57±0.01),峰峰宽△Bpp 为(6.20±0.05)G≤△Bpp≤(8.70±0.05)G.基于这些实验结果,我们采用 S.E.Barnes 的 ESR 动力理论对结果进行了分析讨论,揭示出 Cr 原子对 a-Si 薄膜悬挂键的补偿,Cr 原子的3d 局域自旋磁矩与传导电子的交换互作用是使 ESR 参数变化的原因.

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来源
《兰州大学学报：自然科学版》 |1993年第2期|37-42|共6页
作者
甘润今; 陈光华; 张津燕; 张仿清;
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作者单位

兰州大学物理学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
电子自旋共振; 硅薄膜; 电子束蒸发法;

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