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LP─MOCVD生长InGaAs／GaAs应变超晶格

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ＬＰ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格崔敬忠，陈光华，张仿清，甘润今（兰州大学物理学系，兰州，７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子联合实验室吉林大学实验区，长春，１３００２３）自从Ｌ．Ｅｓａｋｉ和Ｒ．Ｔｓｕ提出超...

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来源
《兰州大学学报：自然科学版》 |1994年第3期|163-164|共2页
作者
崔敬忠; 陈光华; 张仿清; 甘润今; 杨树人; 刘宝林; 陈伯军; 刘式墉;
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作者单位

兰州大学物理学系;

国家集成光电子联合实验室吉林大学实验区;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
LP-MoCVD法; 半导体; 超晶格;

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