Ti O2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/Ti O2异质结薄膜光电化学性能的影响

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• 来源
  《材料工程》 |2019年第8期|90-96|共7页
• 作者

  赵斌; 张芮境; 申倩倩; 王羿; 薛晋波; 张爱琴; 贾虎生;

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• 作者单位

  太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室;

  太原030024;

  太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;

  太原030024;

  太原理工大学材料科学与工程学院;

  太原030024;

  太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;

  太原030024;

  太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;

  太原030024;

  太原理工大学材料科学与工程学院;

  太原030024;

  太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;

  太原030024;

  太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;

  太原030024;

  太原理工大学轻纺工程学院;

  太原030024;

  太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;

  太原030024;

  太原理工大学材料科学与工程学院;

  太原030024;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 光电池;
• 关键词

  CdSe/TiO2异质结; 退火温度; 光电化学性能; 相转变;