高岭石/N-氧化吡啶插层复合物的制备及其机理分析

顾晓文; 张先如; 徐政

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高岭石/N-氧化吡啶插层复合物的制备及其机理分析

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以高岭石/DMSO插层复合物作为前驱体,在微波辐射下成功制备了高岭石/N-氧化吡啶插层复合物,采用X-射线衍射、FT-IR光谱等技术对产物进行表征.实验结果表明:在高岭石/N-氧化吡啶插层复合物中,高岭石的层间距扩张到1.251nm,插层率达到了72.2%.在此基础上,进一步分析N-氧化吡啶插层高岭石的作用机理,即N-氧化吡啶分子中的N-O基团与高岭石的内表面羟基形成了氢键,N-氧化吡啶分子以单分子层形式近似垂直排列于高岭石层间.

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来源
《材料科学与工程学报》 |2007年第2期|253-257|共5页
作者
顾晓文; 张先如; 徐政;
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作者单位

同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;

同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;

同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TB332.TP273;
关键词
高岭石; N-氧化吡啶; 插层机理;

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