本征砷化镓量子阱的瞬态自旋光栅中电子自旋扩散研究

余华梁

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本征砷化镓量子阱的瞬态自旋光栅中电子自旋扩散研究

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利用瞬态自旋光栅方法,在室温下实验研究了本征GaAs量子阱中电子自旋扩散的动力学过程.测得了不同周期的瞬态自旋光栅的衰减率,根据普遍认同的公式:Γ=q2Ds+l/τs,计算得到电子自旋扩散系数Ds=104 cm2/s,以及电子自旋弛豫时间τs=46 ps.测得的电子自旋扩散系数与文献报道的N型GaAs量子阱的实验测量结果相吻合,说明样品导电类型对电子自旋扩散系数没有显著影响.而电子自旋弛豫时间τs=46 ps与由饱和吸收方法测得的结果:τs=103 ps有明显区别.进一步分析了自旋光栅调制度随时间的衰减规律,对自旋极化衰减率公式:Γ=q2Ds+l/τs进行了修正.

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来源
《闽江学院学报》 |2013年第2期|42-44|共4页
作者
余华梁;
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作者单位

闽江学院物理学与电子信息工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非平衡载流子;
关键词
瞬态自旋光栅; 电子自旋扩散; 电子自旋弛豫时间;

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