CdSe和CdSe/ZnS半导体量子点光谱特性的研究

马红; 马国宏; 王文军; 高学喜

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CdSe和CdSe/ZnS半导体量子点光谱特性的研究

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利用X射线衍射谱(XRD)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、荧光光谱(PL)系统地研究了不同表面、多种尺寸的CdSe半导体量子点(QDs)的光学性质.结果显示表面修饰完善的样品的荧光光谱只有一个窄而强的带边发射;所有样品的荧光峰相对于1S-1S吸收峰有较大的红移,并且移动量随尺寸的减小而增加,利用激子的精细结构模型很好地解释了红移量和尺寸的关系;核/壳结构的样品的吸收峰和荧先峰相对于同尺寸的单量子点也有红移现象,这是由于CdSe和ZnS的晶格失配在界面上产生压力造成的.

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来源
《南阳师范学院学报》 |2008年第3期|31-34|共4页
作者
马红; 马国宏; 王文军; 高学喜;
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作者单位

上海大学,物理系,中国上,海200444;

上海大学,物理系,中国上,海200444;

聊城大学,物理科学与信息工程学院,山东,聊城252059;

聊城大学,物理科学与信息工程学院,山东,聊城252059;

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正文语种 chi
中图分类光谱;
关键词
半导体量子点; 红移; 激子精细结构; 晶格失配;

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