不同裂解温度对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能研究

范真祥; 程海峰; 张长瑞; 唐耿平

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不同裂解温度对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能研究

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以聚硅氧烷为先驱体,研究先驱体转化过程中在不同的裂解温度下对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能影响.结果表明,当裂解温度在700℃、800℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度分别为255.2 MPa、309.0 MPa;当裂解温度在1000℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度为45.3 MPa.对SiCf/Si-O-C复合材料的微观结构及载荷-位移曲线进行分析,发现界面结构是影响SiCf/Si-O-C复合材料性能的主要因素.

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来源
《国防科技大学学报》 |2004年第5期|13-17|共5页
作者
范真祥; 程海峰; 张长瑞; 唐耿平;
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作者单位

国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;

国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;

国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;

国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;

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正文语种 chi
中图分类无机纤维;
关键词
Si-O-C; 聚硅氧烷; 先驱体转化; 陶瓷基复合材料; 裂解温度; 弯曲强度;

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