基于模块导通电阻的碳化硅MOSFET键合线健康状态评估方法

孙海峰; 张红玉; 蔡江

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基于模块导通电阻的碳化硅MOSFET键合线健康状态评估方法

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碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)作为第三代半导体产品中的关键器件,在越来越多的领域发挥着至关重要的作用。随着SiC MOSFET的功率越来越大和应用的领域越来越多,SiC MOSFET模块的失效问题亟需重视。首先分析了SiC MOSFET模块工作的原理,讨论了SiC MOSFET模块检测的必要性,然后提出了一种基于模块导通电阻的检测方法,该方法可在不拆开模块封装的情况下对模块键合线的健康状态实现监测。为了验证所提方法的有效性,通过剪断不同数量键合线模拟实际键合线断裂程度,测量了键合线处于不同健康状态下的模块导通电阻,同时对温度和导通电流进行了归一化处理,消除了温度对测量结果的影响。

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来源
《华北电力大学学报》 |2020年第2期|74-80|共8页
作者
孙海峰; 张红玉; 蔡江;
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作者单位

华北电力大学电气与电子工程学院;

河北保定071003;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变流器;
关键词
SiC; MOSFET模块; 键合线; 健康状态监测; 导通电阻; 温度;

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