工艺参数对磁控反应溅射AlN薄膜沉积速率的影响

乔保卫; 刘正堂; 李阳平

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工艺参数对磁控反应溅射AlN薄膜沉积速率的影响

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采用射频磁控反应溅射法,以高纯Al为靶材,高纯N2为反应气体,成功制备了氮化铝(AlN)薄膜.研究了N2气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积速率的影响规律.结果表明,随着N2气流量的增加,靶面溅射由金属态过渡到氮化态,沉积速率随之明显降低;沉积速率随射频功率的增大几乎成线性增大,随靶基距的增大而减小;随着溅射气压的增大,沉积速率不断增大,但在一定气压下达到最大值后,沉积速率又随气压不断减小.

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来源
《西北工业大学学报》 |2004年第2期|260-263|共4页
作者
乔保卫; 刘正堂; 李阳平;
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作者单位

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
磁控反应溅射; AlN薄膜; 沉积速率;

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