一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型

刘福东; 康晋锋; 安辉耀; 刘晓彦; 韩汝琦

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一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型

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从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发,建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表征FEFET的转移特性,并且模型参数较少便于调节;模型结构简单、规模较小,可用于HSPICE电路模拟。模拟结果与FEFET实验结果比较,显示该模型能够很好地反映铁电材料的疲劳等因素引起的FEFET的存储性能退化,为FEDRAM(铁电动态随机存储器)设计和优化提供了一个良好的模型基础。

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来源
《北京大学学报：自然科学版》 |2009年第6期|989-994|共6页
作者
刘福东; 康晋锋; 安辉耀; 刘晓彦; 韩汝琦;
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作者单位

北京大学微电子学研究院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
铁电动态随机存储器; 铁电场效应晶体管; 宏模型; HSPICE; 模拟;

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