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InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究

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摘要

实验得到不同温度下应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏谱，通过理论计算与实验结果的比较，对各谱峰进行了指认．本文着重考察各样品中１１Ｈ跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱宽的变化，讨论谱峰展宽机制中的声子关联、混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响．

著录项

来源
《半导体学报》 |1998年第12期|881-885|共5页
作者
吴正云; 王小军; 黄启圣;
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作者单位

厦门大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
半导体材料; 应变量子阱; 光伏谱; 外延生长;

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