绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用

陈新亮; 薛俊明; 孙建; 赵颖; 耿新华

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绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用

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研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/（V.s）的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UtypeSnO2作前电极的电池具有同等效果.

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来源
《半导体学报》 |2007年第7期|1072-1077|共6页
作者
陈新亮; 薛俊明; 孙建; 赵颖; 耿新华;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
MOCVD; 绒面ZnO薄膜; B掺杂; 前电极; 太阳电池;

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