用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

韩翔; 李轶; 吴文刚; 闫桂珍; 郝一龙

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用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

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开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2. 1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0. 19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.

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来源
《半导体学报》 |2005年第5期|1059-1064|共6页
作者
韩翔; 李轶; 吴文刚; 闫桂珍; 郝一龙;
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作者单位

北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
单晶硅; 无电镀; 铜; 镍; MEMS电感; 品质因数;

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