CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

马槐楠; Eric A.Vittoz; 徐葭生

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在 CMOS工艺结构中,将位于阱中的 MOS 器件加适当的偏置,可以使其变为体内器件、以横向双极管的模式工作.本文利用 3μm P-well和 2μm N-well两种 CMOS工艺设计了这种横向双极器件,分析讨论了这种器件的工作原理和特点,并给出其典型的直流和交流参数的实验数据.这些分析和实验数据将有助于电路设计者了解和掌握该器件的电流、频率工作范围及特性,以便在CMOS电路中充分发挥其特长.

著录项

来源
《半导体学报》 |1991年第9期|546-554|共9页
作者
马槐楠; Eric A.Vittoz; 徐葭生;
展开▼
作者单位

清华大学微电子学研究所;

CSEM瑞士电子与微技术研究与发展中心;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
CMOS; 器件; 工艺; 双极晶体管; 性质;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 与CMOS工艺兼容的横向双极晶体管直流特性的新算法 [J] . 马槐楠 ,徐葭生 . 半导体学报：英文版 . 1993,第1期
2. 用于CMOS图像传感器的双极结型光栅晶体管特性的数值模拟与分析(英文) [J] . 金湘亮 ,陈杰 ,仇玉林 . 半导体学报：英文版 . 2003,第3期
3. 基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器 [J] . 张建恩 ,华斯亮 ,王东辉 . 网络新媒体技术 . 2010,第004期
4. 双极型压控晶体管直流特性的数值模拟 [J] . 曾云 ,金湘亮 ,颜永红 . 电子器件 . 2000,第003期
5. Matlab在双极型晶体管特性曲线讲授中的应用 [J] . 孙红胜 ,彭振哲 . 电气电子教学学报 . 2010,第B10期
6. 与CMOS工艺兼容的横向双极晶体管直流特性的新算法 [C] . 马槐楠 . 电子学科归国学者学术会议 . 1991
7. SOI横向绝缘栅双极型晶体管新结构设计及其性能研究 [A] . 田涛 . 2020

CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅