与CMOS工艺兼容的横向双极晶体管直流特性的新算法

马槐楠; 徐葭生

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本文提出了一种适用于CMOS工艺中横向双极型晶体管直流特性计算的新方法。新方法采用解析形式计算电流I_c,所需模型参数均保留明确的物理意义,不用数值和曲线拟合参数的方法就能得到处于任何注入水平的本征收集极电流I_c和跨导g_(??)。该方法为在设计高精度的CMOS模拟IC中利用横向双极器件提供了良好的CAD器件模型。模型值和实验值呈现良好的一致性。

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来源
《半导体学报》 |1993年第1期|28-35|共8页
作者
马槐楠; 徐葭生;
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作者单位

清华大学微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
双极晶体管; CMOS工艺; 直流; 算法;

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