用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉

熊兵; 王健; 蔡鹏飞; 田建柏; 孙长征; 罗毅

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用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉

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提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件.

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来源
《半导体学报》 |2005年第10期|2001-2005|共5页
作者
熊兵; 王健; 蔡鹏飞; 田建柏; 孙长征; 罗毅;
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作者单位

清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光学集成电路（集成光路）;
关键词
宽带硅基过渡热沉; 高速电吸收调制器; 高阻率硅衬底; 低损耗共面波导; 薄膜电阻;

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