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键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征

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本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．

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来源
《半导体学报》 |1994年第5期|354-360|共7页
作者
黄庆安; 陈军宁; 张会珍; 童勤义;
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作者单位

东南大学微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
C-V特性; SIS结构; Si/SiO2/Si;

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