键合Si/Si p-n结电学输运特性及电场增强效应研究

彭强; 何盛泉; 任良斌; 李杏莲; 柯少颖

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键合Si/Si p-n结电学输运特性及电场增强效应研究

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Si/Si键合可以在低温下获得高强度、零气泡的键合片,但极难获得无氧化层的键合界面,因此难以应用于光电子领域,本文从理论上研究了Si/Si键合界面氧化层厚度对键合Si/Si p-n结光电特性(电流、带宽和光谱)的影响.通过隧穿率、载流子浓度、电场分布、载流子速率、复合率等参数的变化揭示键合Si/Si p-n结性能影响因素,为超高质量Si基Si雪崩层及高性能Si基雪崩器件的制备提供理论指导.结果表明:随着氧化层厚度的增加,载流子隧穿率变小,p-n结光暗电流降低(光谱响应下降)、复合率下降、载流子在p-n结内出现堆积.其次,随着氧化层厚度的增加,器件RC时间常数变大,氧化层内电场增强,导致Si层内电场下降,3dB带宽变小.

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来源
《光子学报》 |2020年第10期|79-88|共10页
作者
彭强; 何盛泉; 任良斌; 李杏莲; 柯少颖;
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作者单位

闽南师范大学物理与信息工程学院;

福建漳州363000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类二极管：按材料分;
关键词
薄膜; 氧化层; Si/Si键合; 载流子隧穿; 电场;

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