P+多晶Si1-xGex功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究

著录项

• 来源
  《电子器件》 |2008年第3期|795-799|共5页
• 作者

  舒斌; 张鹤鸣; 王伟; 宣荣喜; 宋建军; 任冬玲; 吴铁峰; 张永杰;

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• 作者单位

  西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN301.1;
• 关键词

  异质结CMOS; p+多晶Si1-xGex栅; MEDICI模拟; 功函数;