SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)

郑中山; 刘忠立; 张国强; 李宁; 李国花; 马红芝; 张恩霞; 张正选; 王曦

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为了提高SIMOX(separation -by -implanted oxygen)SOI(silicon -on -insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了2×1015cm-2和3×1015 cm-2 剂量的氮.实验结果表明, 在使用Co 60 源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时,埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的.尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小,但经5×104rad(Si)剂量的辐照后,注入2×1015 cm-2 剂量氮的埋氧层表现出了比未注氮埋氧层高得多的辐射硬度,而注入3×1015cm-2剂量氮的埋氧层的辐射硬度却比未注氮埋氧层的辐射硬度还低.然而,随辐照剂量的增加(从5×104 到5×105rad(Si)),这种埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量的敏感性降低了.采用去掉SOI顶硅层的MOS高频C -V技术来表征埋氧层的总剂量辐射硬度.另外,观察到了MSOS(metal -silicon- BOX- silicon)结构的异常高频C- V曲线,并对其进行了解释.

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来源
《半导体学报》 |2005年第5期|862-866|共5页
作者
郑中山; 刘忠立; 张国强; 李宁; 李国花; 马红芝; 张恩霞; 张正选; 王曦;
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作者单位

中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

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正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
SIMOX; 埋氧; 辐射硬度; 注氮;

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